作者：芊之羽
不信？我们可以透视一下历史。
1947年，人类历史上第一支半导体晶体管在著名的贝尔实验室诞生，1949年11月，巴黎统筹委员会成立，新华夏被列入主要高技术出口受限国，首期被列入禁运清单上的军事武器装备、尖端技术产品和稀有物资共计三大类上万种产品，半导体器件及生产设备当然名列其上。
从1950年开始，大量华夏留学人员在祖国的召唤下开始纷纷回国积极投身祖国建设，在这其中，就有华夏半导体事业的先驱和奠基人之一、巾帼英雄谢希德院士；华夏固体和半导体物理学奠基人之一，黄昆院士——顺便说一句，这位黄院士有一位名叫杨震吟的同学；有半导体电子学的开拓者与推动者，半导体电子学界的经典著作《Transistor Electronics》一书的作者，成众志高级研究员；有华夏半导体材料科学的奠基人和开拓者、“华夏太空材料之母”，林兰英院士……
1956年，华夏发出了“向科学进军”的伟大号召，鼓舞着所有的科研工作者们努力向科学的高峰攀登，而在这一批先驱者的带领下，新华夏的半导体事业真正的从零开始起步，从无到有，逐渐建设起了自己的产业。
同年11月，第一支具有完整的pn结特性、具有pnp结型晶体三极管的标准放大特性的锗合金结晶体三极管在华夏科学院物理研究所半导体器件实验室诞生，这一划时代的科技成果宣告了华夏也已经踏入了半导体时代的门槛。
1957年，米国历史上最有影响的半导体公司仙童成立；同年，京城电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶；华夏科学院物理研究所半导体研究室和二机部第11研究所第4研究室开发成功锗合金扩散晶体管，该研究室历经发展，现在的名称是电子部第4013研究所，也是电子部南北两大半导体器件研究所中的“北所”。
1958年，德州仪器和仙童几乎同时发明了集成电路，同年，华夏为研制高技术专用109计算机成立了全国首家半导体器件生产厂 “109厂”，华夏自此拥有了半导体器件和集成电路研制生产中试厂。
还是在这一年，电子部第4055研究所，也就是谭振华老妈的工作单位在宁都创立，开始了半导体微波器件的研制探索，4055所，也就是电子部南北两大半导体器件研究所中的“南所”。
1959年9月15日， “601试验所”（后发展为电子部第4046研究所）成功拉出华夏首颗硅单晶，使华夏成为继米国、苏俄之后，第三个可以自己拉制硅单晶的国家；还是在这一年，华夏首次用四氯化硅氢还原法制成了纯度高达99.9999999%，史称“九个九”的高纯度多晶硅，拉出了第一根钨丝区熔单晶硅。
1962年，米国制成了全球第一支半导体激光器；华夏拉制出砷化镓（GaAs）单晶，为研究制备化合物半导体器件建立了基础，也为华夏研制大功率微波半导体器件打下了第一根桩；还是在这一年，华夏研究制成硅外延工艺，并开始采用照相制版、光刻工艺。
1963年，华夏研制成功第一支半导体激光器，是全球第二个具备这种能力的国家——仅仅比米国晚了一年。
1965年，华夏研制成功第一个硅基集成电路样品GT31，这块芯片上集成了7个晶体管、1个二极管、7个电阻、6个电容，相比米国晚7年。
1966年，109厂与魔都光学仪器厂协作，研制成功第一台65型接触式光刻机，这与米国的GCA公司几乎同时。
也在这一年，IBM公司托马斯·沃森研究中心的研究人员，时年34岁的罗伯特·登纳德博士提出了用金属氧化物半导体（MOS）晶体管，来制作存储器芯片的设想，同年研发成功1T/1C结构（一个晶体管加一个电容）的DRAM，并在1968年获得专利。1968年仙童半导体推出首个256bit DRAM；1969年先进内存系统公司正式推出全球首款1K DRAM。
还是在这一年，华夏科学院半导体研究所制作出第一支硅MOS场效应晶体管；在江南省，南通晶体管厂成立，并在经过50多年的发展后，成长为国际半导体芯片行业封测巨头之一，也就是后来的通富微电，上市后股票代码002156。
1968年，从仙童出走的“三巨头”创立了英特尔公司，如果没有谭振华的乱入，它将成长为全球最大的，同时具备设计和生产半导体芯片能力的科技巨擘；而在华夏的这一年，魔都无线电十四厂研制成功首个PMOS电路（MOS IC），拉开了华夏发展MOS电路的序幕，还是在这一年，华夏永川半导体研究所正式成立，这是华夏唯一的模拟集成电路研究所，后来，这家研究所发展成为电子部4024研究所。
1969年，华夏国营永红器材厂（749厂）成立，1995年整体调迁至天水，多年后，它将成长为另一家国际封测巨头，也就是华天科技，上市后股票代码002185。
1970年，英特尔公司推出首款可大规模生产的1K DRAM芯片C1103，使得1bit只要1美分，从此开创了DRAM时代。也是在这一年，华夏集成电路产业年产量首次超过100万块，这比米国进入这一个数字仅仅晚了6年。
1972年，江阴晶体管厂成立，这家企业今后也将成长为芯片封测行业的国际巨头，也就是长电科技，上市后股票代码600584。
如果按照谭振华重生那年的市占率来算，长电科技、华天科技、通富微电三家相加，已经占据了全球芯片封测市场接近20%的份额，其中市占率最高的长电科技排名全球第三，市占率11.8%，可见华夏在芯片领域，至少在这一块业务上并不落后。
1974年，华夏为发展大规模集成电路（LSI），在京城召开了第一次全国性会议，研讨发展思路；也是在这一年，南高丽三星电子正式进军半导体行业。
由此可见，至少到这个时间点之前，华夏的半导体水平，比之南高丽要遥遥领先。
1975年，华夏完成了硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS三种技术方案，109厂随即采用硅栅NMOS技术，试制成功第一块1K DRAM，相比米国英特尔研制的C1103要晚五年。
同年，华夏湾岛 “工研院”向米国购买了第一条3英寸晶圆生产线并于1977年建成投产。
1976年11月，华夏科学院计算技术研究所研制成功1000万次大型电子计算机，所使用的电路为109厂研制的ECL型（Emitter Coupled Logic，发射极耦合逻辑）电路。
同年，倭国由通产省牵头，联合五大骨干公司组建“VLSI联合研发体”，投资720 亿日元攻坚超大规模集成电路DRAM的技术难关。
由此可见，至少到这一年为止，华夏的技术水平与倭国也不相上下，更领先于湾岛。
在这一年，华夏国产的集成电路芯片年度出货量超过了1千万片，比米国达到这一数字晚了十年。
1978年，华夏科学院半导体研究所成功研制4K DRAM，1979年9月28日在109厂成功流片量产，平均良品率为28%，同年南高丽电子技术研究所KIET从米国购买了一条3英寸晶圆生产线，次年投产。
同年，米国GCA开发出第一台分布重复投影曝光机，使得米国的集成电路图形线宽从1.5μm缩小到0.5μm。
1979年8月，华夏第一支CCD器件在4013所研制成功。
对的，同学，你没有看错，华夏人在70年代的末期就自研出了CCD器件。
谭二公子难道不知道么？当然不是，以他前世对4013所的熟悉程度，他当然知道这一切——但是，他制造他的数码相机时却无法采用4013所的器件，还必须花大价钱从贝尔实验室购买CCD的专利使用许可，至于为什么？
因为这是在民用半导体领域，彼此必须遵守这个游戏规则。
就像在这一年，魔都无线电5厂甚至仿制成功了英特尔的8080CPU一样，注定无法完成商业化的进程。
1980年代，美国SVGL公司开发出第一代步进扫描投影曝光机，集成电路图形线宽从0.5μm缩小到0.35μm。
这一年，著名导演张鸿眉拍摄了华夏历史上第一部科幻电影《珊瑚岛上的死光》，影片讲述了这样一个故事：
在某国w城，爱国华裔科学家赵谦教授试制成功高效原子电池，他拒绝了各大财团重金收买原子电池专利权的企求，决定把样品和资料全部带回祖国。
当天夜里，赵教授被人暗杀，赵教授的未来女婿，青年科学家陈天虹为实现教授的遗愿，携带电池样品驾机逃走。
途中，飞机被一种奇特的空中武器击落，天虹掉落海中。他挣扎着向附近的一座小岛游去，一条鲨鱼向他游来，在这危急关头，只见一道火光闪过，鲨鱼即刻死去。
陈天虹游到小岛上，这是一座神秘的小岛，岛上只住着一位老科学家、赵教授的好友马太博士和他的哑巴仆人阿芒，岛上有一座复杂神奇的实验中心，马太博士在这里经过10年奋斗试制成功了激光器，刚才就是马太博士在实验室里运用激光器杀死鲨鱼救起了陈天虹。
当陈天虹了解到马太博士尚未解决激光器的电源问题时就把高效原子电池交给马太博士。
然而，邪恶的维纳斯公司尾随而至，并企图把赵教授和马太博士的研究成果结合起来，制造一种新式武器威胁人类和平，岛上众人知道了这一切便决心阻止这一罪恶行径。维纳斯公司害怕阴谋败露，派人来岛上索取资料并要炸毁小岛，消灭罪证。
经过一场激烈的搏斗，军舰携带资料逃走，小岛即将被炸，在这千钧一发的时刻，陈天虹配合生命垂危的马太博士用新试制成功的激光器和高效原子电池击沉了军舰，小岛爆炸了。
科学家们的新发明虽没能留下，但他们用鲜血和生命捍卫了人类和平。
如果用今天的眼光再来看这部电影，无疑会觉得情节老套、特效5毛……不，只有5分，但这却是新华夏科幻电影真正的开山之作，所以一经放映，立刻轰动了全国，说引得万人空巷一点都不过分，特别是其悲壮的结局让所有看过此片的人都忍不住潇然泪下，这里面，自然也包括当时的谭振华。
说回正题。
1981年，华夏科学院半导体研究所成功研制出了16K DRAM。
1982年，4013所推出华夏第一块砷化镓集成电路芯片；同年， 109厂研制成功KHA-75-1光刻机，
1983年，无锡742厂从东芝引进的3英寸5微米电视机集成电路生产线通线投产，这是华夏第一次从国外成建制引进集成电路生产线也是华夏首次实现了集成电路工业化大规模生产。
也是在这一年，三星电子正式进军存储器行业。
1985年，电子部4045所研制成功分步式光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到米国4800DSW的水平，其采用的是436纳米G线光源，可加工的集成电路图形线宽为0.5μm级，与米国的差距不超过7年，落后一代。
由此可见，此刻的华夏，已经基本具备了生产半导体器件的全产业链。
这一年，华夏集成电路年产量约为5400万块，同年进口集成电路达到了2亿块，国产芯片的市场占有率超过20%。
同样的，如果没有谭振华的乱入，英特尔将在这一年的CES展会之后，宣布退出DRAM市场，专注于CPU领域，但现在么，80386可没有取得历史上的那种轰动般的成功，反而被构架开放的“MIPS”在市场上杀得落花流水，英特尔只好捏着鼻子与谭振华签了城下之盟，在经过一番讨价还价之后，加入了“Midoor”联盟。
当时签字的时候谭振华心里还挺惋惜的，这样一来，那什么“奔腾”啊，“酷睿”啊，不就没机会出现了？
由刚才所述的这段历史可见，到去年为止，华夏的半导体工业水平与世界先进水平的差距有限，在可望见对手项背的范围之内，属于努努力就能跟上对手的步伐甚至有可能赶上的范畴——可这一切良好的形势，在谭振华上一世的历史中，于1986年急转直下！
第1020章 堵你家大门
那么，在谭振华前世的1986年，华夏的半导体行业到底发生了什么？
其实真的没有发生什么惊天动地的大事，如果一定要探究一下的话，那么只有这几件事是值得记录的：
1986年5月，电子部4742厂试制成功华夏第一片64K DRAM，集成度为15万个元件，加工工艺为3微米，相比世界第一家制成相同产品的倭国NEC晚了6年；
同年8月，华夏集成电路设计中心在京城成立，这标志着华夏集成电路设计业发展的开端。
在这一年，电子部还召开了“七五”集成电路发展战略研讨会，提出了“七五”期间关于集成电路技术的“531”发展战略，即普及推广5微米技术，重点企业形成3微米技术生产能力，进行1-1.5微米技术科技攻关。
在这一年的10月，南高丽政府开始执行“VLSI共同开发技术计划”，由政府出资，南高丽电子通信研究所牵头，联合三星、LG、现代三大集团以及南高丽六所大学，联合攻关DRAM的核心技术。随后三年内，该计划共投入1.1亿美元，其中政府承担57%的研发经费。
看起来，与前些年的形势并没有什么不同。
再认真追究起来，除了这些“大事”之外，只发生了三件非常小的事情。
第一件，米国、欧共体、倭国，包括“巴黎统筹委员会”一致决定，修改了对华夏半导体芯片的出口管制条例，使得华夏可以无需审查便从这些国家购买到绝大多数民用半导体器件，也可以在经过审查并确认为非军事用途后购买次一代的半导体生产设备；
第二件，这些芯片出口国开始有针对性地根据华夏半导体器件的发展水平制定进攻性的价格策略——具体来说，就是华夏可以自产的芯片，他们就用极低的价格倾销，华夏不能自产的芯片，他们便联合涨价；
第三件，不知从什么时候起，有一些华夏媒体开始鼓吹所谓的“造不如买”，并迅速在社会上形成了一股舆论潮流。
看起来不起眼的三件小事，却造成了极为恶劣的后果——1986年，在整体市场增长超过30%的情况下，华夏自产集成电路却首次出现了负增长，全年仅出货4500万片，对比上一年度整整下滑20%！
而这，仅仅是开始——在另一个时空，从这一年开始，华夏自产芯片在全国每年消费需求中所占的比重逐年下滑，到1994年，华夏当年自产了2亿片集成电路芯片，但当年的进口芯片超过50亿片，国产芯片的市占率下滑到了不足4%！
这还不是最致命的，在这几年中，国产芯片制造设备基本走进了“国家投资研发——成果鉴定——束之高阁”的死循环，基于各种不能明说的原因，各主要国产芯片生产企业更愿意花宝贵的外汇购买国外上两代的淘汰设备来搭建自己的生产线，从而让华夏半导体制造设备的研发陷入了很长时间的低谷。
从谭振华的角度，他能够非常清醒地认识到这其中隐藏的阴谋——一个企图谋杀华夏整个半导体产业的阴谋，但，此时的华夏，绝大多数的人，包括绝大多数的半导体行业从业人员都还没有意识到这其中蕴藏的杀机！
而今天，他与电子部、华夏科学院签署的一系列合作项目，就是为了破解这一阴谋而做的应对。
被谭振华列在第一位的，当然是芯片生产中最核心，也是技术门槛最高的设备——光刻机。
1986年，世界光刻机市场最领先的企业是倭国的尼康以及米国的GCA，这两家各占据了约30%的市场份额，第三名Ultratech约占10%，Eaton、P＆E、佳能等剩下几家行业玩家每家占据的市场份额都不到5%，至于后来的光刻机霸主，荷蓝阿斯麦尔ASML，则刚刚于两年之前诞生，由于后发且没有技术优势，连生存都十分困难——这家成立之初，名义上由欧洲半导体巨头飞利浦公司占据了一半股份的公司，只是拿到了飞利浦发明的自动化步进式光刻机技术，却没有得到其一毛钱的现金投资，因此，连办公室都租不起，全公司一共31名员工只好在豪华的飞利浦大厦之外搭建了一个勉强能够遮风挡雨的木棚办公。
至于飞利浦为啥给了技术又不投资——那是因为飞利浦当时正和索尼联合主推更赚钱的CD业务，仅仅1984年，CD的销量就达到1300万张，比上一年度增长了两倍多，散发出了一股印钞机的味道，比小众的光刻机更有投资价值；
同时在另一方面，尼康在这一领域不断攻城掠地，渐渐散发出了王霸之气，打得几家老牌半导体设备厂商节节败退，这让飞利浦不敢大手笔押注光刻机，因此与ASML合作，不过是想先占个坑观望而已。
回到正题，纵观国际市场，在光刻机这份供应商名单中是没有华夏企业的，因为此时的华夏还游离于国际半导体设备供应商的体系之外，只是被当成了国际半导体行业巨头们处理落后淘汰设备的下家。
但经过与电子部及华夏科学院的深入沟通之后，谭振华知道，其实，此刻，1986年这个微妙的时间节点，正是华夏光刻机崛起的最佳机会！
因为华夏有每年超过3亿片半导体芯片的市场需求并正以每年超过10%的高速不断增长；因为经过了多年努力建设，华夏原本就具备独立的半导体全产业链条；因为华夏科学院长春光机所、电子部4045所、华夏科学院第109厂都具备研制光刻机的经验；因为国际光刻机的技术发展即将达到一个瓶颈，并将因此陷入很长一段时间的技术进步停滞期从而给华夏留下追赶的时机；因为谭振华正好知道谁已经从理论上预言了下一代的技术并将在未来打破这个瓶颈！
ASML，这次你没有捡便宜的机会了，你还是老老实实呆在你的木棚子里的比较好！
还有，林本兼，你不要到处乱跑，小爷来堵你家大门了！
第1021章 技术英雄
说堵就堵，绝不含糊，谭二少爷可是个地地道道的行动派。
在与各大部委热热闹闹的签字仪式进行完毕后，他又随便与闻名前来与他套近乎的，华夏国内的所谓“PC四大金刚”简单应酬了一番，便匆匆登上了飞往米国的班机。
当然，在登机之前，已经有一份电报被加急发出，并让罗琳女士立刻忙碌了起来。
在谭振华的心中，手上这件事，可比和“四大金刚”拉拉关系顺便忽悠他们加入“Midoor”行业联盟重要多了，那事回头让虞有成过来处理就好。
反正这什么“四大金刚”原本发家所依赖的“Wintel”联盟在本时空根本还没成气候就烟消云散了，他也不怕他们反了天去。
有同学肯定就要问了，这位林本兼到底是何方神圣，居然让二少爷如此心急火燎地要上杆子地想办法将其收入囊中呢？
那当然是因为，这个人关系到整个半导体行业的未来。
林本兼，男，华裔，1942年出生于安南，现年44岁，在湾岛就读高中，1970年获得米国俄亥俄州立大学电机工程博士，随即进入IBM工作。
如果说张忠谋是改变了半导体行业整体竞争格局的领导者，那么，林本兼，就是半导体工业界的技术英雄。
要想清楚地了解他的重要性，还得从半导体制造流程中，最重要，也是技术门槛最高的那一样设备——光刻机说起。